TP0610K-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -185 mA
输入电容Ciss 23pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3.04 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
TP0610K-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买TP0610K-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TP0610K-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY TP0610K-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷 | 搜索库存 |
替代型号TP0610K-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TP0610K-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-236 P-Channel -60V -185mA 10ohms | 当前型号 | VISHAY TP0610K-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷 | 当前型号 |
| 型号： TP0610K-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOT-23 P-Channel -60V -185mA | 类似代替 | VISHAY TP0610K-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V | TP0610K-T1-E3和TP0610K-T1-GE3的区别 |