制造商型号： | FDN335N |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDN335N
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FDN335N 中文资料
数据手册PDF
FDN335N 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
正向跨导（Min） 7 S
上升时间 8.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDN335N_NL
单位重量 30 mg
库存： 57
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.682043 | 5.68 |
| 10 | 4.817899 | 48.18 |
| 100 | 3.595076 | 359.51 |
| 500 | 2.824686 | 1412.34 |
| 1000 | 2.182615 | 2182.62 |
品牌其他型号
FDN335N品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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