制造商型号: | 2DB1182Q-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 双极性晶体管 |
商品描述: | TRANS PNP 32V 2A TO252 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) 2DB1182Q-13
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2DB1182Q-13 中文资料
数据手册PDF
2DB1182Q-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 32 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 800 mV
最大直流电集电极电流 - 3 A
耗散功率 10 W
增益带宽产品 110 MHz
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 270 at - 500 mA, - 3 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 330 mg
库存: 16882
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.731931 | 5.73 |
10 | 4.423556 | 44.24 |
100 | 2.650396 | 265.04 |
500 | 2.454264 | 1227.13 |
1000 | 1.668865 | 1668.87 |