制造商型号: | SSM3J356R,LF |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) SSM3J356R,LF
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SSM3J356R,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM3J356R,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 4.7 S
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 29 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
库存: 271795
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.91206 | 4.91 |
10 | 3.728128 | 37.28 |
100 | 2.320003 | 232.00 |
500 | 1.587476 | 793.74 |
1000 | 1.221215 | 1221.21 |
品牌其他型号
SSM3J356R,LF品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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