制造商型号: | RN1106MFV,L3F |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 双极晶体管 |
商品描述: | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) RN1106MFV,L3F
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RN1106MFV,L3F 中文资料
数据手册PDF
RN1106MFV,L3F 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 4.7 kOhms
典型电阻器比率 0.1
直流集电极 80
工作频率(Max) -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
峰值直流集电极电流 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
发射极 - 基极电压 5 V
最大直流电集电极电流 100 mA
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 1.500 mg
RN1106MFV,L3F 引脚图与封装图
RN1106MFV,L3F封装图
RN1106MFV,L3F封装焊盘图
库存: 40000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
8000 | 0.322933 | 2583.46 |
16000 | 0.27482 | 4397.12 |
24000 | 0.254166 | 6099.98 |
56000 | 0.219906 | 12314.74 |
200000 | 0.182802 | 36560.40 |
品牌其他型号
RN1106MFV,L3F品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 双极晶体管
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