制造商型号: | APT13003NZTR-G1 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 双极性晶体管 |
商品描述: | IC POWER TRANSISTOR HV TO92 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) APT13003NZTR-G1
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APT13003NZTR-G1 中文资料
数据手册PDF
APT13003NZTR-G1 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 530 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 10 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 4 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 400 g
库存: 4000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2000 | 1.347425 | 2694.85 |
6000 | 1.288486 | 7730.92 |
10000 | 1.141326 | 11413.26 |
50000 | 0.957222 | 47861.10 |
100000 | 0.942517 | 94251.70 |
品牌其他型号
APT13003NZTR-G1品牌厂家:DIODES
,所属分类: 双极性晶体管
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