制造商型号： | SIHP068N60EF-GE3 |
制造商： | Vishay Siliconix (威世) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Vishay Siliconix(威世) SIHP068N60EF-GE3
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SIHP068N60EF-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP068N60EF-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 41 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
品牌其他型号
SIHP068N60EF-GE3品牌厂家：Vishay Siliconix
，所属分类： 未分类
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