制造商型号: | MMBT8050D |
制造商: | JS (钜硕电子) |
产品类别: | 晶体管IGBT |
商品描述: | 集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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JS(钜硕电子) MMBT8050D
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MMBT8050D 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MMBT8050D
制造商
JS(钜硕电子)
商品描述
集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V
晶体管类型
NPN
集电极电流Ic
600mA
集射极击穿电压Vce
25V
额定功率
350mW
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | 0.11512 | 5.76 |
500 | 0.093489 | 46.74 |
3000 | 0.076255 | 228.77 |
6000 | 0.069045 | 414.27 |
24000 | 0.062797 | 1507.13 |