制造商型号: | G90N04 |
制造商: | GOFORD (谷峰) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
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GOFORD(谷峰) G90N04
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G90N04 规格参数
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制造商型号
G90N04
制造商
GOFORD(谷峰)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
45V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
90A(Tc)
栅源极阈值电压
2.2V @ 250uA
漏源导通电阻
6mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
65W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 699
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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G90N04品牌厂家:GOFORD
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