制造商型号: | PZD502CYB |
制造商: | NIKO-SEM (尼克森) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
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NIKO-SEM(尼克森) PZD502CYB
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PZD502CYB 规格参数
属性
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制造商型号
PZD502CYB
制造商
NIKO-SEM(尼克森)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
700mA
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
450mΩ @ 600mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
400mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 10
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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PZD502CYB品牌厂家:NIKO-SEM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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