制造商型号： | MEM2310XG |
制造商： | MICRONE (南京微盟) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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MICRONE(南京微盟) MEM2310XG
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MEM2310XG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MEM2310XG
制造商
MICRONE(南京微盟)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
5.8A
栅源极阈值电压
1.4V @ 250uA
漏源导通电阻
25mΩ @ 5.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.4W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.309256 | 3.09 |
| 100 | 0.252434 | 25.24 |
| 300 | 0.224024 | 67.21 |
品牌其他型号
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MEM2310XG品牌厂家：MICRONE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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