制造商型号： | Si2399DS-T1 |
制造商： | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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VBsemi(台湾微碧) Si2399DS-T1
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Si2399DS-T1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
Si2399DS-T1
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
5A(Tc)
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA
漏源导通电阻
35mΩ @ 5.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.5W(Tc)
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 70
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
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Si2399DS-T1品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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