制造商型号: | AM4392N-T1 |
制造商: | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:260mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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VBsemi(台湾微碧) AM4392N-T1
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AM4392N-T1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
AM4392N-T1
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:260mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
3A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
260mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
3W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.042028 | 4.04 |
10 | 3.320616 | 33.21 |
30 | 2.800776 | 84.02 |
100 | 2.376416 | 237.64 |
500 | 2.302153 | 1151.08 |
品牌其他型号
AM4392N-T1品牌厂家:VBsemi
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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