制造商型号: | LSD65R180GF |
制造商: | LONTEN (龙腾半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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LONTEN(龙腾半导体) LSD65R180GF
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LSD65R180GF 规格参数
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制造商型号
LSD65R180GF
制造商
LONTEN(龙腾半导体)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
栅源极阈值电压
5V @ 250uA
漏源导通电阻
180mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
34W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.288382 | 7.29 |
10 | 5.643987 | 56.44 |
品牌其他型号
LSD65R180GF品牌厂家:LONTEN
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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