制造商型号： | NCEP60T20 |
制造商： | 无锡新洁能 (无锡新洁能) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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无锡新洁能(无锡新洁能) NCEP60T20
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NCEP60T20 规格参数
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参数值
制造商型号
NCEP60T20
制造商
无锡新洁能(无锡新洁能)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
200A(Tc)
栅源极阈值电压
3.5V @ 250uA
漏源导通电阻
2.2mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
255W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 0
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.827945 | 14.83 |
品牌其他型号
NCEP60T20品牌厂家：无锡新洁能
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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