制造商型号: | LSGC15R085W3 |
制造商: | LONTEN (龙腾半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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LONTEN(龙腾半导体) LSGC15R085W3
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LSGC15R085W3 规格参数
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制造商型号
LSGC15R085W3
制造商
LONTEN(龙腾半导体)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
8.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
227W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
品牌其他型号
LSGC15R085W3品牌厂家:LONTEN
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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