制造商型号： | BRD4N70 |
制造商： | BL (博林) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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BL(博林) BRD4N70
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BRD4N70 规格参数
属性
参数值
制造商型号
BRD4N70
制造商
BL(博林)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
700V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.8Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
70W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.472668 | 1.47 |
| 10 | 1.174353 | 11.74 |
| 30 | 1.046505 | 31.40 |
品牌其他型号
BRD4N70品牌厂家：BL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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