制造商型号： | WFD2N65L |
制造商： | Winsemi (稳先微) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Winsemi(稳先微) WFD2N65L
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WFD2N65L 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WFD2N65L
制造商
Winsemi(稳先微)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
35W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.806378 | 4.03 |
| 50 | 0.645121 | 32.26 |
| 150 | 0.564493 | 84.67 |
| 500 | 0.504021 | 252.01 |
| 2500 | 0.455644 | 1139.11 |
品牌其他型号
WFD2N65L品牌厂家：Winsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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