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Prisemi(芯导) PPMT12V4

Prisemi(芯导) PPMT12V4
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

PPMT12V4

制造商:

Prisemi (芯导)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-射频

商品描述:

连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:P沟道

供货:

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PPMT12V4 规格参数

属性
参数值

制造商型号

PPMT12V4

制造商

Prisemi(芯导)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:P沟道

漏源电压(Vdss)

-12V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

4.3A

栅源极阈值电压

1V @ 250uA

漏源导通电阻

45mΩ @ 4.3A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)

1.3W

类型

P沟道

包装方式

编带

库存: 3000

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥0.346677 总价:¥0.35
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 0.346677 0.35
100 0.323566 32.36
300 0.300455 90.14
500 0.277332 138.67
2000 0.265777 531.55
品牌其他型号
PPMT12V4品牌厂家:Prisemi ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频 ,可在锐单商城现货采购PPMT12V4、查询PPMT12V4代理商; PPMT12V4价格批发咨询客服;这里拥有 PPMT12V4中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 PPMT12V4替代型号PPMT12V4数据手册PDF