制造商型号: | PPMT12V4 |
制造商: | Prisemi (芯导) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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客服: | |
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Prisemi(芯导) PPMT12V4
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PPMT12V4 规格参数
属性
参数值
制造商型号
PPMT12V4
制造商
Prisemi(芯导)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4.3A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
45mΩ @ 4.3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.3W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 3000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 0.346677 | 0.35 |
100 | 0.323566 | 32.36 |
300 | 0.300455 | 90.14 |
500 | 0.277332 | 138.67 |
2000 | 0.265777 | 531.55 |
品牌其他型号
PPMT12V4品牌厂家:Prisemi
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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