制造商型号: | G08N06S |
制造商: | GOFORD (谷峰) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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GOFORD(谷峰) G08N06S
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G08N06S 规格参数
属性
参数值
制造商型号
G08N06S
制造商
GOFORD(谷峰)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
6A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
30mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 10
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.208064 | 1.21 |
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G08N06S品牌厂家:GOFORD
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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