制造商型号： | MTP2301N3 |
制造商： | CY (超音) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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CY(超音) MTP2301N3
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MTP2301N3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTP2301N3
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.4A
栅源极阈值电压
450mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻
100mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.38W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 430
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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MTP2301N3品牌厂家：CY
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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