制造商型号: | MTN3400N3 |
制造商: | CY (超音) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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CY(超音) MTN3400N3
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MTN3400N3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTN3400N3
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
5.8A
栅源极阈值电压
1.4V @ 250uA
漏源导通电阻
26mΩ @ 5.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.38W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 0.644681 | 3.22 |
50 | 0.516694 | 25.83 |
150 | 0.4527 | 67.91 |
500 | 0.404706 | 202.35 |
2500 | 0.366309 | 915.77 |
品牌其他型号
MTN3400N3品牌厂家:CY
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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