制造商型号： | MTB095N10KRN3 |
制造商： | CY (超音) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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CY(超音) MTB095N10KRN3
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MTB095N10KRN3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTB095N10KRN3
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.3A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
130mΩ @ 1.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.25W
类型
N沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
MTB095N10KRN3品牌厂家：CY
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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