制造商型号： | WNM2024-3/TR |
制造商： | WILLSEMI (韦尔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：600mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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WILLSEMI(韦尔) WNM2024-3/TR
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WNM2024-3/TR 规格参数
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制造商型号
WNM2024-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：600mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.3A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
36mΩ @ 3.6A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
600mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 2857
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.44528 | 0.45 |
| 100 | 0.41745 | 41.74 |
| 300 | 0.38962 | 116.89 |
| 500 | 0.36179 | 180.90 |
| 2000 | 0.347875 | 695.75 |
品牌其他型号
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WNM2024-3/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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