制造商型号: | UT4421G-SO8-R |
制造商: | TC (德昌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 6.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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TC(德昌) UT4421G-SO8-R
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UT4421G-SO8-R 规格参数
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制造商型号
UT4421G-SO8-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 6.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
6.2A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
40mΩ @ 6.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 9470
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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UT4421G-SO8-R品牌厂家:TC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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