制造商型号： | WPT2N32-6/TR |
制造商： | WILLSEMI (韦尔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：860mV @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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WILLSEMI(韦尔) WPT2N32-6/TR
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WPT2N32-6/TR 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WPT2N32-6/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：860mV @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
800mA
栅源极阈值电压
860mV @ 250uA
漏源导通电阻
600mΩ @ 550mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.1W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 2900
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.45375 | 0.45 |
| 100 | 0.4235 | 42.35 |
| 300 | 0.39325 | 117.97 |
| 500 | 0.363 | 181.50 |
| 2000 | 0.347875 | 695.75 |
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WPT2N32-6/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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