制造商型号: | CJBM3020 |
制造商: | CJ (长晶科技) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 |
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渠道: | |
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CJ(长晶科技) CJBM3020
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CJBM3020 规格参数
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制造商型号
CJBM3020
制造商
CJ(长晶科技)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
20A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
14mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.5W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 30
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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CJBM3020品牌厂家:CJ
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