制造商型号： | PNM723T703E0-2 |
制造商： | Prisemi (芯导) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180mA 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Prisemi(芯导) PNM723T703E0-2
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PNM723T703E0-2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
PNM723T703E0-2
制造商
Prisemi(芯导)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180mA 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
180mA
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA
漏源导通电阻
7.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
150mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 562
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.199662 | 0.20 |
| 100 | 0.186352 | 18.64 |
| 300 | 0.173042 | 51.91 |
| 500 | 0.159732 | 79.87 |
| 2000 | 0.153077 | 306.15 |
品牌其他型号
PNM723T703E0-2品牌厂家：Prisemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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