制造商型号： | VBTA1220N |
制造商： | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：390mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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VBsemi(台湾微碧) VBTA1220N
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VBTA1220N 规格参数
属性
参数值
制造商型号
VBTA1220N
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：390mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
850mA
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
390mΩ @ 500mA,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
500mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 0
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.631071 | 0.63 |
| 10 | 0.607698 | 6.08 |
| 100 | 0.551603 | 55.16 |
| 500 | 0.523555 | 261.78 |
品牌其他型号
VBTA1220N品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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