制造商型号: | CRTD084NE6N |
制造商: | CR (启达) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):87A(Tc) 漏源电压(Vdss):65V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):98W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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CR(启达) CRTD084NE6N
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CRTD084NE6N 规格参数
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制造商型号
CRTD084NE6N
制造商
CR(启达)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):87A(Tc) 漏源电压(Vdss):65V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):98W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
65V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
87A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
8.4mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
98W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
CRTD084NE6N品牌厂家:CR
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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