制造商型号: | FHP2N60E |
制造商: | FeiHong (飞虹) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多FHP2N60E价格库存等采购信息! |
FeiHong(飞虹) FHP2N60E
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
FHP2N60E 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FHP2N60E
制造商
FeiHong(飞虹)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
2A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
54W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
品牌其他型号
FHP2N60E品牌厂家:FeiHong
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
,可在锐单商城现货采购FHP2N60E、查询FHP2N60E代理商; FHP2N60E价格批发咨询客服;这里拥有
FHP2N60E中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
FHP2N60E替代型号
、
FHP2N60E数据手册PDF。