制造商型号： | 1N60L-TM3 |
制造商： | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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VBsemi(台湾微碧) 1N60L-TM3
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1N60L-TM3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
1N60L-TM3
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
45W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.203918 | 3.20 |
| 10 | 2.662859 | 26.63 |
| 30 | 2.387025 | 71.61 |
| 100 | 2.185454 | 218.55 |
| 500 | 1.994492 | 997.25 |
品牌其他型号
1N60L-TM3品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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