制造商型号: | AP30P30Q |
制造商: | ALLPOWER (铨力) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ALLPOWER(铨力) AP30P30Q
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AP30P30Q 规格参数
属性
参数值
制造商型号
AP30P30Q
制造商
ALLPOWER(铨力)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
30A(Tc)
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
10mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.5W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 4
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.067244 | 1.07 |
10 | 0.964624 | 9.65 |
30 | 0.896211 | 26.89 |
100 | 0.793591 | 79.36 |
500 | 0.745699 | 372.85 |
品牌其他型号
AP30P30Q品牌厂家:ALLPOWER
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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