制造商型号: | NCE3018AS |
制造商: | 无锡新洁能 (无锡新洁能) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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无锡新洁能(无锡新洁能) NCE3018AS
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NCE3018AS 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NCE3018AS
制造商
无锡新洁能(无锡新洁能)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
18A
栅源极阈值电压
1.4V @ 250uA
漏源导通电阻
7mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
3W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 12000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 2.48256 | 24.83 |
100 | 1.772496 | 177.25 |
300 | 1.342944 | 402.88 |
500 | 1.150992 | 575.50 |
1000 | 1.035072 | 1035.07 |
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NCE3018AS品牌厂家:无锡新洁能
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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