制造商型号： | HSBA6048 |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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HUASHUO(华朔) HSBA6048
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HSBA6048 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBA6048
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
85A
栅源极阈值电压
2.3V @ 250uA
漏源导通电阻
3.6mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
83W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.687799 | 4.69 |
| 10 | 3.857326 | 38.57 |
| 30 | 3.453017 | 103.59 |
| 100 | 3.037781 | 303.78 |
| 500 | 2.797381 | 1398.69 |
品牌其他型号
HSBA6048品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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