制造商型号： | SI2310 |
制造商： | BORN (伯恩半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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BORN(伯恩半导体) SI2310
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SI2310 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2310
制造商
BORN(伯恩半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.8A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
90mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.56W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.343136 | 3.43 |
| 100 | 0.281944 | 28.19 |
| 300 | 0.251348 | 75.40 |
| 3000 | 0.207291 | 621.87 |
| 6000 | 0.188933 | 1133.60 |
品牌其他型号
SI2310品牌厂家：BORN
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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