制造商型号： | BR13N50 |
制造商： | BL (博林) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：195W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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BL(博林) BR13N50
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BR13N50 规格参数
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制造商型号
BR13N50
制造商
BL(博林)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：195W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
13A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
480mΩ @ 6.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
195W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 39
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
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BR13N50品牌厂家：BL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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