制造商型号: | BR50N06 |
制造商: | BL (博林) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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BL(博林) BR50N06
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BR50N06 规格参数
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参数值
制造商型号
BR50N06
制造商
BL(博林)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
22mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
120W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.272872 | 2.27 |
10 | 1.813927 | 18.14 |
50 | 1.617236 | 80.86 |
100 | 1.365909 | 136.59 |
500 | 1.256636 | 628.32 |
品牌其他型号
BR50N06品牌厂家:BL
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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