制造商型号: | PNMT20V3 |
制造商: | Prisemi (芯导) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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Prisemi(芯导) PNMT20V3
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PNMT20V3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
PNMT20V3
制造商
Prisemi(芯导)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
3A
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
60mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.25W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 0.388558 | 3.89 |
100 | 0.317032 | 31.70 |
300 | 0.281271 | 84.38 |
品牌其他型号
PNMT20V3品牌厂家:Prisemi
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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