制造商型号: | SI2309 |
制造商: | BORN (伯恩半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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BORN(伯恩半导体) SI2309
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SI2309 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2309
制造商
BORN(伯恩半导体)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
2A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
300mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 0.414018 | 4.14 |
100 | 0.341897 | 34.19 |
300 | 0.305837 | 91.75 |
3000 | 0.246704 | 740.11 |
6000 | 0.225067 | 1350.40 |
品牌其他型号
SI2309品牌厂家:BORN
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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