制造商型号: | WNM6002-3/TR |
制造商: | WILLSEMI (韦尔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 370mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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WILLSEMI(韦尔) WNM6002-3/TR
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WNM6002-3/TR 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WNM6002-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 370mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
300mA
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
2Ω @ 370mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
370mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
20 | 0.222561 | 4.45 |
200 | 0.183697 | 36.74 |
600 | 0.162104 | 97.26 |
3000 | 0.14915 | 447.45 |
9000 | 0.137922 | 1241.30 |
品牌其他型号
WNM6002-3/TR品牌厂家:WILLSEMI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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