制造商型号： | CJ3139K |
制造商： | CJ (长晶科技) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 自营 |
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客服： | |
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CJ(长晶科技) CJ3139K
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CJ3139K 规格参数
属性
参数值
制造商型号
CJ3139K
制造商
CJ(长晶科技)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
660mA
栅源极阈值电压
1.1V @ 250uA
漏源导通电阻
520mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
150mW
类型
P沟道
包装方式
编带
CJ3139K 引脚图与封装图
CJ3139K电路图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 20 | 0.239241 | 4.78 |
| 200 | 0.194709 | 38.94 |
| 600 | 0.169969 | 101.98 |
品牌其他型号
CJ3139K品牌厂家：CJ
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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