制造商型号: | CJT04N15 |
制造商: | CJ (长晶科技) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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CJ(长晶科技) CJT04N15
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CJT04N15 规格参数
属性
参数值
制造商型号
CJT04N15
制造商
CJ(长晶科技)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
160mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
-
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 1.63166 | 8.16 |
50 | 1.326571 | 66.33 |
150 | 1.195771 | 179.37 |
500 | 0.992523 | 496.26 |
2500 | 0.919858 | 2299.64 |
品牌其他型号
CJT04N15品牌厂家:CJ
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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