| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 32QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:6 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 44QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:5 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 44-VFQFN Exposed Pad |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 44QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:10 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 44-VFQFN Exposed Pad |
| | 2:6 LVPECL BUFFER (1.25GHZ), 2:1 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:6 电压-电源: 2.38V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | 2:10 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 L 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:10 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 44QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:5 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 44-VFQFN Exposed Pad |
| | IC BUFFER/LEVEL XLATOR 1:3 32QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:3 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 44QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:10 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 44-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 2:10 725MHZ 44QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:10 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 44-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 1:4 LVPECL 24QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 1:4 LVPECL 24QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 1:4 HCSL 24QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | 2:6 LVDS BUFFER (1.25GHZ), 2:1 I 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:6 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 44QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:10 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 44-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 1:4 LVDS 24QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 1:4 LVDS 24QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 1:4 LVDS 24QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 2:6 725MHZ 32QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:6 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 1:4 LVDS 24QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 24-VFQFN Exposed Pad |
| | IC BUFFER/LEVEL XLATOR 1:4 16QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 2:4 725MHZ 16QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad |
| | | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:8 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 44QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:10 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 44-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 2:10 725MHZ 44QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:10 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 44-VFQFN Exposed Pad |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 32QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:6 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 32QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:6 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 32QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:6 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | IC BUFFER/LEVEL XLATOR 1:4 16QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad |
| | | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 1:8 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| | IC CLK BUFFER 2:4 LVDS 16QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 2:4 LVDS 16QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad |
| | 2:10 LVPECL BUFFER (200MHZ), 2:1 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:10 电压-电源: 2.38V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | IC CLK BUFFER 2:8 200MHZ 16TSSOP 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:8 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 32QFN 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:6 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 32-VFQFN Exposed Pad |
| | 2:4 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV 时钟缓冲器芯片 | | | 厂家: - 比率-输入:输出: 2:4 电压-电源: 1.71V ~ 3.63V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad |