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江苏海德半导体有限公司是专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的新兴高科技企业。“haide_logo.png ”为公司自主品牌。位于江阴市临港新城,占地面积20000㎡,专业生产各系列贴片二极管、整流桥以及各类大中小功率三极管、肖特基、快恢复、达林顿、三端稳压器、MOS管、晶体振荡器等半导体器件。现有员工500人,其中从事技术、品质管理的30人,目前形成每月3亿只产品的规模。 公司主要生产设备采用进口的全自动生产设备,致力于以成熟又先进的技术、稳定的品质、优良的服务,及合理的价格向客户提供更具竞争力的高品质半导体产品及服务。公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司严格按照ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系组织生产,产品符合欧盟指令(ROHS),并可以提供满足客户需要的无卤素产品。

英文全称:High Diode

中文全称:海德

英文简称:High Diode

品牌介绍: 海德High Diode

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ABS210_二极管桥式整流器
授权代理品牌

工作结温(Tj):-55℃~+150℃ 正向浪涌电流(Ifsm):60A 正向压降(Vf):1.1V @ 2A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 反向电流(Ir):5uA @ 1kV

二极管桥式整流器

+1:

¥0.275852

+10:

¥0.212531

+30:

¥0.200902

+100:

¥0.189272

+500:

¥0.184102

库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SS110_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):850mV @ 1A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A

二极管阵列整流器

+1:

¥0.204627

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¥0.150646

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¥0.140731

+100:

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+500:

¥0.126409

库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SS24F_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):550mV @ 2A 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):2A

二极管阵列整流器

+1:

¥0.290505

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¥0.186076

库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
DSS14_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):550mV @ 1A 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A

二极管阵列整流器

+1:

¥0.143681

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SSL36F_二极管阵列整流器
授权代理品牌
+1:

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
DSS24_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):550mV @ 2A 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):2A

二极管阵列整流器

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SS210_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):850mV @ 2A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):2A

二极管阵列整流器

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SK24_二极管阵列整流器
授权代理品牌
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¥0.284279

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
B1040WS_二极管阵列整流器
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SS36F_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):700mV @ 3A 直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):3A

二极管阵列整流器

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SS110F_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):850mV @ 1A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A

二极管阵列整流器

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SS220F_二极管阵列整流器
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SS310F_二极管阵列整流器
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
DSS120_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):950mV @ 1A 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A

二极管阵列整流器

+1:

¥0.170946

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
SS510_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):850mV @ 5A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A

二极管阵列整流器

+1:

¥0.54762

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
BAT54WS_二极管阵列整流器
授权代理品牌

正向压降(Vf):1V @ 100mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):100mA

二极管阵列整流器

+1:

¥0.162167

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
MB10F_二极管桥式整流器
授权代理品牌

工作结温(Tj):-55℃~+150℃ 正向浪涌电流(Ifsm):30A 正向压降(Vf):1V @ 400mA 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):800mA 反向电流(Ir):5uA @ 1kV

二极管桥式整流器

+1:

¥0.141154

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
MB6F_二极管桥式整流器
授权代理品牌

工作结温(Tj):-55℃~+150℃ 正向浪涌电流(Ifsm):30A 正向压降(Vf):1V @ 400mA 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):800mA 反向电流(Ir):5uA @ 1kV

二极管桥式整流器

+1:

¥0.154987

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库存: 有货

国内:1~2 天

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S9015_晶体管IGBT
授权代理品牌
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国内:1~2 天

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BC856B_晶体管IGBT
授权代理品牌
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国内:1~2 天

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SS8050_晶体管IGBT
授权代理品牌
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国内:1~2 天

暂无参数
S9013_晶体管IGBT
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

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S9012_晶体管IGBT
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
S8050_晶体管IGBT
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
S8550_晶体管IGBT
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

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BC817_晶体管IGBT
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
BC807_晶体管IGBT
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
HD2312_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
HD2310_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
+1:

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¥0.208312

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+100:

¥0.180892

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
HD2302_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

+1:

¥0.160263

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库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
HD2307_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
+1:

¥0.282957

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¥0.194602

+100:

¥0.180892

+500:

¥0.174798

库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
HD2305_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

+1:

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¥0.152999

库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
HD2301_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

+1:

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¥0.131894

库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
HD3400_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

+1:

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¥0.159402

库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数
HD3401_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

+1:

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¥0.167428

库存: 有货

国内:1~2 天

暂无参数

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