类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：UltraFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：92 毫欧 @ 13A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：11.3nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：350pF @ 25V
功率 - 最大：38W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：管件
供应商设备封装：*
HUFA76407D3S
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HUFA76413D3ST | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| HUFA76609D3S | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| HUFA75321D3 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| HUFA76633S3ST | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| HUFA76407P3 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |