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HBAT-5400-TR1G

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:RF 二极管
系列:-
二极管型 :肖特基 - 单
电压 - 峰值反向(最大):30V
电流 - 最大:220mA
电容@ Vr, F:3pF @ 0V, 1MHz
电阻@ Vr, F:2.4 欧姆 @ 100mA, 1MHz
功率耗散(最大):250mW
封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
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型号 制造商 描述 购买
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