类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.8 毫欧 @ 9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3400pF @ 10V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOP
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
HAT2195R
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HAT2165H-EL-E | INTERSIL/RECTIFIER (瑞萨) | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | 立即购买 |
| HAT2165H-EL-E | INTERSIL/RECTIFIER (瑞萨) | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | 立即购买 |
| HAT2165H-EL-E | INTERSIL/RECTIFIER (瑞萨) | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | 立即购买 |
| HAT2169H-EL-E | INTERSIL/RECTIFIER (瑞萨) | MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK | 立即购买 |
| HAT2169H-EL-E | INTERSIL/RECTIFIER (瑞萨) | MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK | 立即购买 |