类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：Power-SPM™
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 毫欧 @ 40A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：295nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：11535pF @ 15V
功率 - 最大：-
安装类型：通孔
封装/外壳：EPM15
包装：管件
供应商设备封装：*
FD6M016N03
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FD6M033N06 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FD6M045N06 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FD6M043N08 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FD6M033N06 | ON (安森美) | MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15 | 立即购买 |
| FD6M043N08 | ON (安森美) | MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15 | 立即购买 |