制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-3P
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
功率耗散: 186 W
封装: Tube
配置: Single
FGA15N120ANTDTU
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FGA15N120ANTDTU | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL | 立即购买 |
FGA15N120FTDTU | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL | 立即购买 |
FGA15N120ANTDTU-F109 | ON (安森美) | IGBT 1200V 30A 186W TO3P | 立即购买 |
FGA15N120ANDTU | ON (安森美) | IGBT 1200V 24A 200W TO3P | 立即购买 |
FGA15N120ANTDTU | ON (安森美) | IGBT 1200V 30A 186W TO3P | 立即购买 |